SP3313

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SP3313 5V/3A,QC3.0

发布日期:2018-01-25    关键字:SP3313

SP3313是斯帕沃半导体有限公司(Segma Power Semiconductor Co.,Ltd)为车载充电器QC3.0快充方案专门定制的一款高输入电压、输出高精度恒压恒流以及支持100%占空比的DC/DC降压芯片,并搭配IP2161快充芯片,形成一款高性价比,高可靠度,功能完备性能卓越的完整快充QC3.0协议解决方案。

  

SP3413

 

特点: 

n 高耐压:输入电压可达36V

n 输出电压、输出限流可设:恒流精度±7%、恒压精度±2%

n 内置功率MOS可持续输出3.5A电流

n 无需外部补偿,外围电路简单

n 可支持100%占空比的车载充电器方案

n 独立的输出电压保护可支持BC1.2QC2.0/3.0的双路输出

n 开关频率固定为135KHz

n 内置抖频功能可轻松通过EMC测试

n 完整保护措施:短路保护(SCP),过热保护(OTP),过压保护(OVP)以及欠压保护(UVLO),保护后端用电设备的安全以及系统本身的可靠性

n 高可靠性:SP3313在保障自身安全稳定工作的同时,还充分考虑了由于生产因素、异常使用因素、特殊环境因素等引起的一系列特殊情況下对后端用电设备的保护,是真正的高可靠性解決方案。

  

芯片引脚:


 

                                                        

 

 

 

PIN

NAME

DESCRIPTION

1

VFB

Feed Back Of Output Voltage

2

GND

Ground

3

SW

Positive Of Current Sense Power Switching Output to External Inductor

4

NC

NC

5

VIN

Power Supply Input. Bypass this pin with a 2.2μF ceramic capacitor to GND, placed as close to the IC as possible.

6

BS

Power to the internal high-side MOSFET gate driver. Connect a 22~100nF capacitor from BS pin to VIN pin

7

CSP

Positive Of Current Sense

8

CSN

Negative Of Current Sense

 

主要参数设定:

n 输出电压设定:

                             VOUT=(R3/R4+1)*VFB


n OCP限流点设定:

                           

n 线损补偿设定:

                     


Schematic:

PCB Layout:




EMI对策:


对于部分EMI要求较严苛的应用,开关的杂讯会造成杂讯超量,在这种情況下可以在SW PIN上接一个 2.2~10Ω的电阻 R2(如原理图红圈),再串接一个 1n~10nF 的陶瓷电容 C4 GND,来抑制开关杂讯。具体的阻值和容值需要使用者对应具体的线路作调试。常规来说,推荐4.7Ω 和 1nF 的组合。R2 C4 要贴近SW脚与ICGND位置来放置。另外,输入端可预留π型电路以及IC输入脚并一个10uF陶瓷电容,均有利于辐射通过。

布局方面建议输入电容尽量靠近VIN脚,最好增放一个2.2~10uF/50V的陶瓷电容靠近IC VIN脚,且要与IC GND靠近;另外电路回路尽量短,整板的地尽量少分割。

 

Ripple & Noise:


Ripple Voltage = ΔI * ESR

另外ripple & noise的测试,建议使用以下业界标准: 示波器频宽设为20MHz;输出端加上100nF陶瓷电容与10uF/50V电解电容,测量方式如下图所示。

                 

 

散热建议:

SP3313是SOP8封装的DC/DC,当用于车充产品时,插入点烟器请尽量利用电源的负极弹片来帮助产品散热,并可以考虑增加弹片与GND的焊接面积,这样弹片在作为负极输入的同时,也可以是系统的一个极好的散热片。

如果板子体积小,可适当增加开窗,加强散热效果。

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